Dalam pembuatan semikonduktor, filem nipis aluminium biasanya didepositkan pada permukaan cip menggunakan teknologi percikan logam (percikan). Sputtering ialah proses pemendapan wap fizikal (PVD), yang menyerang sasaran logam dengan menggunakan pengionan dan pecutan gas lengai seperti ** argon (Ar)**, menyebabkan atom pada sasaran terpercik keluar dan memendap ke permukaan daripada wafer yang akan diproses.
1. Prinsip asas sputtering
Teras proses sputtering adalah penggunaan ion argon (Ar +) yang dipercepatkan pada voltan tinggi, mengenai permukaan sasaran aluminium. Apabila ion argon mengenai sasaran aluminium, atom aluminium dilucutkan dari permukaan sasaran dan terpercik ke permukaan wafer. Ketebalan, keseragaman dan kualiti filem aluminium boleh dikawal dengan melaraskan parameter seperti kadar aliran gas, voltan sasaran dan masa pemendapan.
2. Kelebihan proses sputtering
Ketepatan tinggi: Teknologi sputtering boleh mengawal ketebalan dan kadar pemendapan filem aluminium dengan tepat, yang sesuai untuk pembuatan semikonduktor halus.
Pemendapan suhu rendah: Proses percikan mempunyai suhu pemendapan yang lebih rendah berbanding pemendapan wap kimia (CVD) dan oleh itu mengelakkan kerosakan suhu tinggi pada bahan, menjadikannya sangat sesuai untuk proses sensitif suhu.
Kualiti filem yang baik: Dengan mengoptimumkan keadaan sputtering, filem aluminium boleh mempunyai lekatan dan kerataan yang baik untuk pemprosesan seterusnya.